富士電機(jī)和日本山梨大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種小型輕量的直接水冷式汽車(chē)IGBT模塊，并在國(guó)際功率半導(dǎo)體大會(huì)“ ISPSD 2013”??上進(jìn)行了介紹。

（由日本電氣學(xué)會(huì)主辦，2013年5月26日至30日在日本石川縣金澤市舉行）宣布了該模塊中使用的技術(shù)。

該模塊的耐壓為1200V，電流為500A，面積為320mm×170mm。

據(jù)報(bào)道，在國(guó)外，該模塊已用于將于2012年底推出的混合動(dòng)力汽車(chē)（HEV），而在日本，它將配備計(jì)劃于2013年6月推出的混合動(dòng)力汽車(chē)。

冷卻的IGBT模塊用于將IGBT芯片封裝在陶瓷基板上。

金屬板稱為“基礎(chǔ)板”。

將散熱器放置在基板下方，然后將散熱器放置在金屬板下方。

直接水冷式IGBT模塊省去了基板，并在散熱器上配置了帶有IGBT芯片的陶瓷基板，并用水冷卻了散熱器。

其他公司還開(kāi)發(fā)了用于車(chē)載的直接水冷式IGBT模塊，但是這種開(kāi)發(fā)的特點(diǎn)是陶瓷基板使用Al2O3，散熱器使用鋁。

大多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品都將Si3N4用于陶瓷基板，將銅用于散熱器，或?qū)l2O3用于陶瓷基板，將銅用于散熱器。

這次使用Al2O3的主要目的是降低熱阻并使IGBT模塊更小。

盡管Al2O3的熱導(dǎo)率低于Si3N4，但它具有很強(qiáng)的應(yīng)力承受能力，并且很容易變薄，因此可以降低熱阻。

另外，當(dāng)陶瓷基板使用Al 2 O 3時(shí)，可以使封裝在基板上的銅配線變厚，從而可以進(jìn)一步降低熱阻。

通過(guò)這些方法，與原始水冷模塊相比，這種直接水冷模塊將熱阻降低了約30％。

在散熱器中使用鋁主要是為了減輕重量。

但是，Al2O3和鋁的熱膨脹系數(shù)相差很大，熱循環(huán)過(guò)程中承受的應(yīng)力會(huì)增加。

因此，這次用于焊接Al2O3和鋁的焊料材料得到了改進(jìn)。

該模塊使用錫銻（Sn-Sb）焊料，研究小組使用了四種類型（組成比不同的錫銻焊料）（類型1至4）來(lái)研究加熱周期中焊料裂紋的狀態(tài)。

最后，即使在-40°C至+ 105°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行了2000次熱循環(huán)測(cè)試后，在制造過(guò)程中易于使用的非裂紋“ Type3”的實(shí)際使用也未顯示任何裂紋。

C。